品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF740STRLPBF |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
开启电压 | 400(V) | 夹断电压 | 600(V) |
跨导 | 10(μS) | 极间电容 | 0.5(pF) |
低频噪声系数 | 0.6(dB) | 漏极电流 | 10(mA) |
耗散功率 | 125(mW) |
供应原装进口无铅场效应管、一级代理商,封装:TO-263,数量:50K,欢迎来电咨询洽谈、质量保证、假一赔十!
品牌/商标 VISHAY 型号/规格 IRF740PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 400(V) 夹断电压 600(V) 跨导 10(μS) 极间电容 0.5(pF) 低频噪声系数 0.5(dB) 漏极电流 10(mA) 耗散功率 125(mW) 供应原装进口无铅场效应管、一级代理商,封装:TO-220,数量:50K,欢迎来电咨询洽谈、质量保证、假一赔十!
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP19NB20FP 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 200(V) 夹断电压 600(V) 跨导 20(μS) 极间电容 5(pF) 低频噪声系数 6(dB) 漏极电流 10(mA) 耗散功率 125(mW)