品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | STP19NB20FP |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
开启电压 | 200(V) | 夹断电压 | 600(V) |
跨导 | 20(μS) | 极间电容 | 5(pF) |
低频噪声系数 | 6(dB) | 漏极电流 | 10(mA) |
耗散功率 | 125(mW) |
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 D44H11 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 100(V) 集电极允许电流ICM 8(A) 集电极耗散功率PCM 45(W) 截止频率fT 150(MHz) 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 供应ST原装进口无铅三极管D44H11.D45H11.D44H8,TO-220,220000PCS欢迎来电咨询洽谈,品质保证
品牌/商标 HJ 型号/规格 BT134-600 控制方式 双向 极数 三极 封装材料 塑料封装 封装外形 平底形 关断速度 普通 散热功能 带散热片 频率特性 中频 功率特性 中功率 额定正向平均电流 4(A) 控制极触发电流 1000(mA) 稳定工作电流 30(A) 反向重复峰值电压 500(V)