品牌/商标 | 美国POWER | 型号/规格 | TOP250Y |
封装 | TO-220 | 批号 | 拆机 |
营销方式 | 现货 | 产品性质 | 热销 |
处理信号 | 模拟信号 | 制作工艺 | 半导体集成 |
导电类型 | 双极型 | 集成程度 | 大规模 |
工作温度 | -40~125(℃) | 类型 | 电源模块 |
TOP系列电源IC
00-104
TOP200-204
TOP221-227
TOP232-234
TOP242-250
TOP252-262
品牌/商标 威世,雷达,安美森 型号/规格 SUP85N03 NTP85N03 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 3(V) 夹断电压 30(V) 低频跨导 22(μS) 极间电容 222(pF) 低频噪声系数 2222(dB) 漏极电流 85A(mA) 耗散功率 80(mW)
品牌/商标 Samsung三星 型号/规格 TIP32C 产品类型 放大二极管 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 正向直流电流IF 3(A) 反向电压 115(V) 普通管TIP32C:3A 115V >3MHz 40W