SUP85N03 NTP85N03 85N03
| 价 格： | 1.20 | |
| 品牌： | 威世，雷达，安美森 | |
| 型号： | SUP85N03 NTP85N03 |
| 品牌/商标 | 威世，雷达，安美森 | 型号/规格 | SUP85N03 NTP85N03 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 3（V） | 夹断电压 | 30（V） |
| 低频跨导 | 22（μS） | 极间电容 | 222（pF） |
| 低频噪声系数 | 2222（dB） | 漏极电流 | 85A（mA） |
| 耗散功率 | 80（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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- 联系人： 苏春湖
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3A 115V 40W普通管TIP32C
信息内容：品牌/商标 Samsung三星 型号/规格 TIP32C 产品类型 放大二极管 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 正向直流电流IF 3（A） 反向电压 115（V） 普通管TIP32C:3A 115V >3MHz 40W
批发17A 60V场效应MOS管IRFZ24N
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 IRFZ24N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 4（V） 夹断电压 60（V） 漏极电流 17A（mA） 耗散功率 80W（mW） IRFZ24 17A 60V
