低价STP3NB80,STP4NB80
| 价 格： | 0.52 | |
| 品牌： | ST | |
| 型号： | STP3NB80,STP4NB80 |
| 品牌/商标 | ST | 型号/规格 | STP3NB80,STP4NB80 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 封装外形 | SP/特殊外形 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 2.5（V） |
| 夹断电压 | 800（V） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方育辉
- 电话：86 0754 84472126
- 传真：86 0754 86679829
- 手机：13202136378
- QQ ：
优势供应IRL2203N,IRL2203S
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRL2203N,IRL2203S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2.5（V） 夹断电压 30（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
拆机场效应管2SK1119
信息内容：品牌/商标 东芝 型号/规格 2SK1119 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2.5（V） 夹断电压 1500（V） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
