品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRL2203N,IRL2203S |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 2.5(V) | 夹断电压 | 30(V) |
低频跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
耗散功率 | 1(mW) |
品牌/商标 东芝 型号/规格 2SK1119 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2.5(V) 夹断电压 1500(V) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW)
品牌/商标 富士通 型号/规格 2SK1010 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2(V) 夹断电压 500(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) TO-220封装,500V5A,日本富士通。长期大量现货供应系列拆机及翻新三极管,欢迎来人来电洽谈合作.具体价格以当天报价为准。dzsc/18/7682/18768282.jpg