16A 60V场效应管J143
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | J143 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | J143 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 6（V） | 夹断电压 | 60（V） |
| 低频跨导 | 222（μS） | 极间电容 | 25（pF） |
| 低频噪声系数 | 12（dB） | 漏极电流 | 16（mA） |
P场J143：16A 60V
- 所属城市：广东 汕头
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25A 100V场效应管J657
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 J657 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 4（V） 夹断电压 100（V） 低频跨导 2414（μS） 极间电容 23（pF） 低频噪声系数 4（dB） 漏极电流 25（mA）
8A 100V场效应管J654
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 J654 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 4（V） 夹断电压 100（V） 低频跨导 2123（μS） 极间电容 22（pF） 低频噪声系数 2（dB） 漏极电流 8（mA）
