25A 100V场效应管J657
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | J657 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | J657 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 4（V） | 夹断电压 | 100（V） |
| 低频跨导 | 2414（μS） | 极间电容 | 23（pF） |
| 低频噪声系数 | 4（dB） | 漏极电流 | 25（mA） |
- 所属城市：广东 汕头
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏春湖
- 电话：86 0754 84483628
- 传真：86 0754 84493628
- 手机：13322722404
- QQ ：
8A 100V场效应管J654
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 J654 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 4（V） 夹断电压 100（V） 低频跨导 2123（μS） 极间电容 22（pF） 低频噪声系数 2（dB） 漏极电流 8（mA）
7A 400/200 60W普通管BU406
信息内容：品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 BU406 产品类型 放大二极管 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 正向直流电流IF 7（A） 反向电压 400/200（V）
