| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF630NPBF |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | V/前置(输入级) |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | GaAS-FET砷化镓 |
| 开启电压 | 200(V) | 夹断电压 | 010(V) |
| 跨导 | 25.0520(μS) | 极间电容 | 40(pF) |
| 低频噪声系数 | 2.01.45(dB) | 漏极电流 | 540.(mA) |
| 耗散功率 | 543(mW) |
| IRF630PBF |
| TO-220AB PKG |
| IR(F,L)x Series Side 1 IR(F,L)x Series Side 2 |
| 1,000 |
| 離散半導體產品 |
| FET - 單路 |
| - |
| MOSFET N通道,金屬氧化物 |
| 標準 |
| 400 毫歐姆 @ 5.4A, 10V |
| 200V |
| 9A |
| 4V @ 250µA |
| 43nC @ 10V |
| 800pF @ 25V |
| 74W |
| 通孔 |
| TO-220-3 |
| 管裝 |
| TO-220AB |
| 1538 (TW2010-11 PDF) |
| *IRF630PBF |
品牌/商标 ZETEX 型号/规格 BCX19 批号 10+ 封装 SOT23 营销方式 现货 产品性质 新品 处理信号 模拟信号 制作工艺 半导体集成 导电类型 双极型 集成程度 小规模 规格尺寸 10(mm) 工作温度 -40~125(℃) 静态功耗 10(mW) 类型 其他IC 数据列表BCX1(7, 8, 9)LT1产品相片SOT-23-3 Pkg产品变化通告Possible Adhesion Issue 11/July/2008产品目录绘图Transistor SOT-23-3 Pkg标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)()500mA电压 - 集电极发射极击穿()45VIb、Ic条件下的Vce饱和度()620mV @...
品牌/商标 InterFET美国 型号/规格 IRF7452TRPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 100(V) 夹断电压 5(V) 低频跨导 32(μS) 极间电容 52(pF) 低频噪声系数 2(dB) 漏极电流 4.5A(mA) 耗散功率 2.5W(mW)