集成电路IC BCX19 NPN GP 500MA 45V
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | ZETEX | |
| 型号/规格： | BCX19 |
| 品牌/商标 | ZETEX | 型号/规格 | BCX19 |
| 批号 | 10+ | 封装 | SOT23 |
| 营销方式 | 现货 | 产品性质 | 新品 |
| 处理信号 | 模拟信号 | 制作工艺 | 半导体集成 |
| 导电类型 | 双极型 | 集成程度 | 小规模 |
| 规格尺寸 | 10（mm） | 工作温度 | -40~125（℃） |
| 静态功耗 | 10（mW） | 类型 | 其他IC |
| BCX1(7, 8, 9)LT1 |
| SOT-23-3 Pkg |
| Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
| Transistor SOT-23-3 Pkg |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| 晶体管(BJT) - 单路 |
| - |
| NPN |
| 500mA |
| 45V |
| 620mV @ 50mA, 500mA |
| - |
| 100 @ 100mA, 1V |
| 225mW |
| - |
| 表面贴装 |
| SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
| 带卷 (TR) |
| 1407 (CN091-10 PDF) |
| BCX19LT1GOSTR |
- 所属城市：广东 深圳
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增强型MOS管N沟道IRF7452TRPBF
信息内容：品牌/商标 InterFET美国 型号/规格 IRF7452TRPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 5（V） 低频跨导 32（μS） 极间电容 52（pF） 低频噪声系数 2（dB） 漏极电流 4.5A（mA） 耗散功率 2.5W（mW）
STP60NF06 STP55NF06 STP75NF75 STP85NF06 ST公司 MOS管
信息内容：品牌/商标 STI美国半导体技术 型号/规格 STP60NF06 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 D/变频换流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 60（V） 夹断电压 60（V） 跨导 110（μS） 极间电容 36（pF） 低频噪声系数 15（dB） 漏极电流 600（mA） 耗散功率 1250（mW）
