广州励志电子-供应场效应管-电子元器件-IRF630N
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | IR美国国际整流器公司 | |
| 型号： | IRF630N |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF630N |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | TR/激励、驱动 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 500（V） | 夹断电压 | 500（V） |
| 极间电容 | 2600（pF） | 低频噪声系数 | 0.001（dB） |
| 漏极电流 | 0.5（mA） | 耗散功率 | 1900（mW） |
供应场效应管-电子元器件-IRF630N
销售纺织电子元器件,有意者欢迎来电咨询、洽谈！价格从优！13922378085李生，QQ：317636129
- 所属城市：广东 广州
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广州励志电子-供应场效应管-电子元器件-IRF640
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF640 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 TR/激励、驱动 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 500（V） 夹断电压 500（V） 极间电容 2600（pF） 低频噪声系数 0.001（dB） 漏极电流 0.5（mA） 耗散功率 1900（mW）
特供VN50300T电子元件－纺织电子电器（电气）
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 VN50300T 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 DC/直流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 800（V） 夹断电压 800（V） 低频跨导 0.（μS） 极间电容 0.（pF） 低频噪声系数 0.（dB） 漏极电流 0.（mA） 耗散功率 0.（mW）
