品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF640 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | TR/激励、驱动 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 500(V) | 夹断电压 | 500(V) |
极间电容 | 2600(pF) | 低频噪声系数 | 0.001(dB) |
漏极电流 | 0.5(mA) | 耗散功率 | 1900(mW) |
品牌/商标 其他 型号/规格 VN50300T 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 DC/直流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 800(V) 夹断电压 800(V) 低频跨导 0.(μS) 极间电容 0.(pF) 低频噪声系数 0.(dB) 漏极电流 0.(mA) 耗散功率 0.(mW)
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