3.5A 900V 35W场效应管K2275
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | K2275 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | K2275 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 9（V） | 夹断电压 | 900（V） |
| 低频跨导 | 2351（μS） | 极间电容 | 25（pF） |
| 低频噪声系数 | 18（dB） | 漏极电流 | 3.5（mA） |
| 耗散功率 | 35（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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8A 450V 35W场效应管K2424
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 K2424 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 45（V） 夹断电压 450（V） 低频跨导 2631（μS） 极间电容 26（pF） 低频噪声系数 14（dB） 漏极电流 8（mA） 耗散功率 35（mW）
10A 350V 50W场效应管K2799
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 K2799 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 35（V） 夹断电压 350（V） 低频跨导 2652（μS） 极间电容 26（pF） 低频噪声系数 18（dB） 漏极电流 10（mA） 耗散功率 50（mW） K2799：10A 350V <0.4Ω 50W
