LM2936DTX-3.3
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌： | IRFR48ZPBF | |
| 型号： | IRFR48ZPBF |
| 品牌/商标 | IRFR48ZPBF | 型号/规格 | IRFR48ZPBF |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | D/变频换流 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 低频跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
SOT-252(D-Pak)
★★新华尔★★
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IRFS3207ZTRR
信息内容：品牌/商标 NTD20N06T4G 型号/规格 NTD20N06T4G 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 LLCC/无引线陶瓷片载 材料 GaAS-FET砷化镓 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
IRFS3307PBF
信息内容：品牌/商标 NTD20P06LT4G 型号/规格 NTD20P06LT4G 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 V/前置(输入级) 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
