品牌/商标 | FUI日本富士通 | 型号/规格 | K1940-2SK1940 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 600(V) | 夹断电压 | 12(V) |
跨导 | .(μS) | 极间电容 | .(pF) |
低频噪声系数 | .(dB) | 漏极电流 | .(mA) |
耗散功率 | 125(mW) |
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质量问题7天内可以退货手机15976905886QQ1666727955
应用范围 电磁 品牌/商标 NEC 产品系列 A9417 型号/规格 NECMR62-12SRY 触点形式 点接触 额定电压 250(V) 电流性质 直流 外形尺寸 超小型 触点负载 中功率 防护特征 塑封式 直流电阻 155(Ω) 吸合电流 0.0009(A) 释放电流 0.007(A) 触点切换电压 DC12(V) 触点切换电流 10(A) .................................................................................................................................................
品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 20N60C3 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 .(V) 夹断电压 .(V) 跨导 .(μS) 极间电容 .(pF) 低频噪声系数 .(dB) 漏极电流 .(mA) 耗散功率 .(mW) dzsc/18/7512/18751260.jpg...............................................dzsc/18/7512/18751260.jpg...............................................dzsc/18/7512/18751260.jpg.............