品牌/商标 | INFINEON/英飞凌 | 型号/规格 | 20N60C3 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | .(V) | 夹断电压 | .(V) |
跨导 | .(μS) | 极间电容 | .(pF) |
低频噪声系数 | .(dB) | 漏极电流 | .(mA) |
耗散功率 | .(mW) |
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品牌/商标 仙童 型号/规格 SSH7N90 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 S/开关 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 开启电压 .(V) 夹断电压 .(V) 跨导 .(μS) 极间电容 .(pF) 低频噪声系数 .(dB) 漏极电流 .(mA) 耗散功率 .(mW) ......................................................................................................................
品牌/商标 哈马斯 型号/规格 RURG50120 应用范围 功率 材料 硅(Si) 极性 N/P型 击穿电压VCBO .(V) 集电极允许电流ICM .(A) 集电极耗散功率PCM .(W) 截止频率fT .(MHz) 结构 平面型 封装形式 TO-3P 封装材料 塑料封装