品牌/商标 | ST | 型号/规格 | W23NM60.W22NM60.W20NM60 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
开启电压 | .(V) | 夹断电压 | .(V) |
跨导 | .(μS) | 极间电容 | .(pF) |
低频噪声系数 | .(dB) | 漏极电流 | .(mA) |
耗散功率 | .(mW) |
汕头华域电子经营部专营拆机翻新场效应管,IGBT 二三极管 整流桥堆,集成IC 可控硅 电动车控制器配件 电解电容等电子元件,本经营部自成立以来以信誉至上,质量保证,价格优惠的经营理念,欢迎新老客户来电洽谈:13676125010
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 TYN612 控制方式 单向 极数 三极 封装材料 金属封装 封装外形 平底形 关断速度 高频(快速) 散热功能 带散热片 频率特性 中频 功率特性 中功率 额定正向平均电流 .(A) 控制极触发电流 .(mA) 稳定工作电流 12(A) 反向重复峰值电压 600(V)
品牌/商标 进口 型号/规格 35V2200UF 介质材料 铝电解 应用范围 低压 外形 圆柱形 功率特性 中功率 频率特性 中频 调节方式 固定 引线类型 同向引出线 允许偏差 ±0.002(%) 耐压值 50(V) 等效串联电阻(ESR) .(mΩ) 标称容量 .(uF) 损耗 . 额定电压 .(V) 绝缘电阻 .(mΩ) 温度系数 .