品牌/商标 | 进口 | 型号/规格 | 35V2200UF |
介质材料 | 铝电解 | 应用范围 | 低压 |
外形 | 圆柱形 | 功率特性 | 中功率 |
频率特性 | 中频 | 调节方式 | 固定 |
引线类型 | 同向引出线 | 允许偏差 | ±0.002(%) |
耐压值 | 50(V) | 等效串联电阻(ESR) | .(mΩ) |
标称容量 | .(uF) | 损耗 | . |
额定电压 | .(V) | 绝缘电阻 | .(mΩ) |
温度系数 | . |
品牌/商标 FairChild仙童 型号/规格 FGA25N120.G25N120 应用范围 功率 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO .(V) 集电极允许电流ICM .(A) 集电极耗散功率PCM .(W) 截止频率fT .(MHz) 结构 点接触型 封装形式 TO-3P 封装材料 金属封装
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFB3607 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 MES金属半导体 开启电压 .(V) 夹断电压 .(V) 跨导 .(μS) 极间电容 .(pF) 低频噪声系数 .(dB) 漏极电流 .(mA) 耗散功率 .(mW) .....................................