SE6N60 MOSFET(图)
| 价 格： | 1000.00 | |
| 品牌： | SINO-IC | |
| 型号： | SE6N60 |
| 品牌/商标 | SINO-IC | 型号/规格 | SE6N60 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-INM/独立组件 |
| 封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 600（V） | 夹断电压 | 600（V） |
| 低频跨导 | 60（μS） | 极间电容 | 800（pF） |
| 低频噪声系数 | 800（dB） | 漏极电流 | 800（mA） |
| 耗散功率 | 800（mW） |
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4N60 MOSFET(图)
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 4N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 60（μS） 极间电容 800（pF） 低频噪声系数 800（dB） 漏极电流 800（mA） 耗散功率 800（mW）
SE4N60 N沟道MOS TO-220F
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE4N60 N沟道MOS TO-220F 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） 主要MOS型号：SE2102E,SE7401U,SE8205，SE8205A，SE8810，SE8810A，SE8209，SE8209A，SE2301，SE2305，SE2306,SE3400，SE3401,SE2N7002，SE9435，SE4953，SE4606，SED5852，SED5853，SE1N60, SE2N60...
