品牌/商标 | SINO-IC | 型号/规格 | 4N60 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | AM/调幅 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 600(V) | 夹断电压 | 600(V) |
低频跨导 | 60(μS) | 极间电容 | 800(pF) |
低频噪声系数 | 800(dB) | 漏极电流 | 800(mA) |
耗散功率 | 800(mW) |
品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE4N60 N沟道MOS TO-220F 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) 主要MOS型号:SE2102E,SE7401U,SE8205,SE8205A,SE8810,SE8810A,SE8209,SE8209A,SE2301,SE2305,SE2306,SE3400,SE3401,SE2N7002,SE9435,SE4953,SE4606,SED5852,SED5853,SE1N60, SE2N60...
品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE1N60 N沟道MOS TO-220F 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) 主要MOS型号:SE2102E,SE7401U,SE8205,SE8205A,SE8810,SE8810A,SE8209,SE8209A,SE2301,SE2305,SE2306,SE3400,SE3401,SE2N7002,SE9435,SE4953,SE4606,SED5852,SED5853,SE1N60, SE2N60...