仙童场效应管,FQPF4N90C
| 价 格： | 2.00 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | FQPF4N90C |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | FQPF4N90C |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 900（V） | 夹断电压 | 1600（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
我公司供应仙童(Fairchild 飞兆)场效应管FQPF4N90C,其耐压为900V,电流为4A, N沟道,全新原装,长期供应,如有需要请联系
公司只经营全新原装产品，长期备有大量现货,价格有优势！
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耐压为600V,电流为7A场效应管，HFS7N60
信息内容：品牌/商标 SEMIHOE 型号/规格 HFS7N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 1200（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 25（mA） 耗散功率 1（mW）
仙童MOS管,FQA11N90C,11N90
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FQA11N90C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 900（V） 夹断电压 1200（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） 我公司供应仙童(Fairchild 飞兆)场效应管FQA11N90C,其耐压为900V,电流为9A, N沟道,全新原装,长期供应公司只经营全新原装产品，长期备有大量现货,价格有优势！深圳市凌通电子主要从事代...
