仙童MOS管,FQA11N90C,11N90
| 价 格： | 6.00 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | FQA11N90C |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | FQA11N90C |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 900（V） | 夹断电压 | 1200（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
我公司供应仙童(Fairchild 飞兆)场效应管FQA11N90C,其耐压为900V,电流为9A, N沟道,全新原装,长期供应
公司只经营全新原装产品，长期备有大量现货,价格有优势！
深圳市凌通电子主要从事代理功率器件产品，是国内较具竞争力的的公司，公司主要致力于推广功率半导体器件的MOFET, IGBT单管及模块, 超快恢复二极管等。
公司的产品主要应用于开关电源AC/DC、逆变电源、UPS/EPS电源、 电焊机等。
本司可为客户提供配套服务。同时为客户提供技术全面支持，如有需要，敬请垂询！
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IR功率器件场效应管IRFP460A
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP460APBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 500（V） 夹断电压 1000（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 200（mA） 耗散功率 0（mW） 我公司供应IR国际整流器公司的功率器件IRFP460APBF,耐压为500V,电流为20A, N沟道,全新原装公司只经营全新原装产品，长期备有大量现货,价格有优势！深圳市凌通电子主要从事代理功...
IR场效应管，IRFP264PBF
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRFP264PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 250（V） 夹断电压 0（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 280（mW）
