LM7815 L7815 MC7815
| 价 格： | 0.70 | |
| 品牌/商标： | ST 国半 仙童 三星 摩托罗拉 安美森 | |
| 型号/规格： | 7815 |
| 品牌/商标 | ST 国半 仙童 三星 摩托罗拉 安美森 | 型号/规格 | 7815 |
| 批号 | 拆机 | 封装 | TO-220 |
| 营销方式 | 厂家直销 | 产品性质 | 热销 |
| 处理信号 | 模拟信号 | 制作工艺 | 半导体集成 |
| 导电类型 | 双极型 | 集成程度 | 大规模 |
| 规格尺寸 | TO-220（mm） | 工作温度 | -40~125（℃） |
| 静态功耗 | 20（mW） | 类型 | 稳压IC |
三端稳压7815的参数1-1.5A 15V
- 所属城市：广东 汕头
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场效应管K1507 K2645 K2761
信息内容：品牌/商标 富士通 型号/规格 K1507 K2645 K2761 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 2（μS） 极间电容 2222（pF） 低频噪声系数 22（dB） 漏极电流 10A（mA） 耗散功率 100（mW）
3.5A 900V 35W场效应管K2275
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 K2275 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 9（V） 夹断电压 900（V） 低频跨导 2351（μS） 极间电容 25（pF） 低频噪声系数 18（dB） 漏极电流 3.5（mA） 耗散功率 35（mW）
