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供应 双磁极霍尔传感器 高灵敏度 ATS177 ATS177-PL-B-A

价 格: 1.00
型号/规格:ATS177-PL-B-A
品牌/商标:DIODES

标准包装:1,000

类别:传感器,转换器

家庭:磁性-霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘(IC)

系列:-

传感范围:70G跳闸,-70G释放

类型:双极卡锁

电源电压:3.5V~20V

电流-电源:10mA

电流-输出():25mA

输出类型:数字,开路集电极

特点:温度补偿

工作温度:-20°C~85°C

封装/外壳:3-SIP

供应商设备封装:3-SIP

包装:散装

 

 

深圳市深创为电子有限公司是一家主营电子元器件的公司,是一家专营欧、美、亚各大名厂大规模专用集成电路为主的元器件供应商。其经营的贴片、直插IC系列广泛用于航天、通讯、电脑、家电、电子设备、仪器仪表等各个领域。公司现已与欧美TI/BBBIBOURNSADIMAXIMPHILIPS(NXP)STHITACHI(RENESAS)ON及台湾的PMCWINBONDATMEL等元器件厂商建立了稳定的业务关系,享有多家公司元器件的特许经销权利,特别是PMCWINBONDADITI/BBBIBOURNSPHILIPS(NXP)ST商品现货供应种类及销售价格均在同行业中具有明显的优势。并可为客户提供配套及寻找各类冷门、偏门及停产IC
   公司自成立以来,始终本着“信誉、客户至上、货真价实、互利双赢”的经营理念。我们真诚的希望与国内外各厂商携手合作,携手共创美好明天!

公 司 地 址:深圳市福田区深南中路佳和华强大厦A2108

联 系 人:刘先生、周小姐

TEL   NO0755-83000287

FAX   NO0755-83000452

公司主营产品:

1PMC SPI FLASH PM25LV512/010/020;PM25LD512/010/020.

2WINBOND SPI  FLASH

W25X,W25Q系列产品(W25X10/20/40,W25Q80/16/32/64/128.

374系列和4000系列逻辑CMOS芯片.

4LDO 稳压ICIMP1117全系列,AMS1117全系列

5FREESCAL(飞思卡尔)加速度传感器ICMMA7455,MMA7660,MMA7361

6.三端稳压IC7879系列

7. TI BB系列:

ADSDACPGAOPATPSTLCTLVINATSCTPABQUC

8.光耦:

PC817,PC923L,TLP521PS2501

9.继电器:

欧姆龙(OMRON)、松下(NAIS)等

10.放大器IC

OP275AD620

 11. 光电开关:

EESX1131EESX670/AEESX671/A,EESX672/A,EESX673/A,EESX674/A.

12.电位器

 美国BI品牌7276R7286R6187R等系列;

 BOURNS品牌的3006326632963314336233863590RV16YNRV24YNRV30YN系列

其它名称:ATS177-PL-B-A

深圳市深创为电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 周小姐/李小姐/刘先生
  • 电话:0755-83000287/83000452
  • 传真:0755-83000452
  • 手机:13302959406
  • QQ :QQ:825115608#eaaa26a689f621aea48fdef47128535990f664ecbe505fc6c785f9fcaddea4bfQQ:503091736#193332f48079f488e33b29c6429fd74e5352ed952a49df323778513bbf3185ddQQ:287790967
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供应 NPN 晶体管 PMBT3904 PMBT3906 MMBT3904 MMBT3906

信息内容:

类别:分离式半导体产品 家庭:晶体管(BJT)-单路 系列:- 晶体管类型:NPN 电流-集电极(Ic)():200mA 电压-集电极发射极击穿():40V Ib、Ic条件下的Vce饱和度():300mV@5mA,50mA 电流-集电极截止():- 在某Ic、Vce时的最小直流电流增益(hFE):100@10mA,1V 功率-:350mW 频率-转换:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23 包装:带卷(TR)

详细内容>>

供应 2SK2837 K2837 东芝原装 场效应管

信息内容:

类别:分离式半导体产品 家庭:MOSFET,GaNFET - 单 系列:- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准型 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:270 毫欧 @ 10A, 10V 漏极至源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:20A Id 时的 Vgs(th)():4V @ 1mA 闸电荷(Qg) @ Vgs:80nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) :3720pF @ 10V 功率 - :150W 安装类型:通孔 封装/外壳:2-16C1B (TO-247 N) 包装:管件 供应商设备封装:TO-3P(N)

详细内容>>

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