价 格: | 0.20 | |
型号/规格: | PMBT3904 | |
品牌/商标: | NXP(恩智浦) | |
封装形式: | SOT23 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 盒带编带包装 | |
功率特性: | 小功率 | |
频率特性: | 低频 | |
极性: | NPN型 |
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT)-单路
系列:-
晶体管类型:NPN
电流-集电极(Ic)():200mA
电压-集电极发射极击穿():40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度():300mV@5mA,50mA
电流-集电极截止():-
在某Ic、Vce时的最小直流电流增益(hFE):100@10mA,1V
功率-:350mW
频率-转换:300MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23
包装:带卷(TR)
类别:分离式半导体产品 家庭:MOSFET,GaNFET - 单 系列:- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准型 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:270 毫欧 @ 10A, 10V 漏极至源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:20A Id 时的 Vgs(th)():4V @ 1mA 闸电荷(Qg) @ Vgs:80nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) :3720pF @ 10V 功率 - :150W 安装类型:通孔 封装/外壳:2-16C1B (TO-247 N) 包装:管件 供应商设备封装:TO-3P(N)
dzsc/18/8354/18835476.jpg 产品变化通告:MarkingFormatChange15/Aug/2008标准包装:2,000类别:分离式半导体产品家庭:单二极管/整流器系列:-电压-在If时为正向(Vf)():1V@10mA电压-(Vr)():100V电流-平均整流(Io):200mA电流-在Vr时反向漏电:5µA@75V二极管型:标准速度:小信号=反向恢复时间(trr):4ns电容@Vr,F:4pF@0V,1MHz安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向供应商设备封装:DO-35包装:散装其它名称:1N4148FS