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优势供应 场效应管 贴片MOS管 SI2305

价 格: 面议
品牌:VISHAY威世
型号:SI2305DS-T1-ES

品牌/商标 VISHAY威世 型号/规格 SI2305DS-T1-ES
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道
导电方式 增强型 用途 S/开关
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道
开启电压 0.85(V) 夹断电压 20(V)
漏极电流 4700(mA) 耗散功率 1100(mW)

2305  SOT-23 3000PCS/盘
 
20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET    20V P 沟道增强型 MOS 管
 
VDS= -20V
RDS(ON), Vgs@- 4.5V, Ids@- 4.7A = 60mΩ  
RDS(ON),Vgs@-2.5V,Ids@-1.0A= 100mΩ 
 
Features   特性
Advanced trench process technology   的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance  极低的导通电阻高密度的单元设计 

 

深圳市阔晶电子有限公司,MOS管,IC,二三极管供应商,常备现货,量大单价从优,期待您的合作。

联系方式:颜婵贞 13632530586   QQ:731785022    TEL:755-83234439 

MSN:szcool2009@hotmail.com    E-mail:yanchanzhen@126.com

地址:深圳市福田区华强北路中航路新亚洲二期N1B250柜和N2B232柜

 

 

深圳市福田区新亚洲电子市场二期阔晶电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 颜婵銮
  • 电话:755-83234439
  • 传真:755-83234439
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品牌/商标 台产 型号/规格 2305 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 0.85(V) 夹断电压 20(V) 漏极电流 4700(mA) 耗散功率 1100(mW) 2305 SOT-23 3000PCS/盘 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -20VRDS(ON), Vgs@- 4.5V, Ids@- 4.7A = 60mΩ RDS(ON),Vgs@-2.5V,Ids@-1.0A= 100mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计 深圳市阔晶电子有限公司,MOS管,IC...

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