品牌/商标 | 台产 | 型号/规格 | 2305 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
开启电压 | 0.85(V) | 夹断电压 | 20(V) |
漏极电流 | 4700(mA) | 耗散功率 | 1100(mW) |
2305 SOT-23 3000PCS/盘
20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V P 沟道增强型 MOS 管
VDS= -20V
RDS(ON), Vgs@- 4.5V, Ids@- 4.7A = 60mΩ
RDS(ON),Vgs@-2.5V,Ids@-1.0A= 100mΩ
Features 特性
Advanced trench process technology 的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计
深圳市阔晶电子有限公司,MOS管,IC,二三极管供应商,常备现货,量大单价从优,期待您的合作。
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品牌/商标 ANPEC 型号/规格 APM4953 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 -1.7(V) 夹断电压 -30(V) 漏极电流 -5.3(mA) 耗散功率 2500(mW)
品牌/商标 CET华瑞 型号/规格 CEM9435 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 2(V) 夹断电压 30(V) 漏极电流 -5300(mA) 耗散功率 2500(mW) CEM9435 SOP-8 3000PCS/盘 -30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET -30V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-5.3A= 60mΩRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-4.2A= 90mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance极低的导通电阻高密度的单元设计深圳市阔元电子有限公司,MOS管,IC,二三极管...