优势供应MOS管 FDS4435 场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | FAIRCHILD | |
| 型号： | FDS4435 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD | 型号/规格 | FDS4435 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | -1.4（V） | 夹断电压 | 30（V） |
| 漏极电流 | 10500（mA） | 耗散功率 | 2500（mW） |
MOS管供应商，期待与您的合作。。
FDS4435 SOP-8 3000PCS/盘
-30V P- hannel Enhancement-Mode MOSFET -30V P 沟道增强型 MOS 管
VDS= -30V
RDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-10.5A= 18mΩ
RDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-6.0A= 30mΩ
Features 特性
Advanced trench process technology 的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计
深圳市阔晶电子有限公司，MOS管，IC，二三极管供应商，常备现货，量大单价
从优，期待您的合作。
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优势供应 场效应管 贴片MOS管 APM9435
信息内容：品牌/商标 ANPEC茂达 型号/规格 APM9435 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 30（V） 漏极电流 -5300（mA） 耗散功率 2500（mW） APM9435 SOP-8 3000PCS/盘 -30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET -30V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-5.3A= 60mΩRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-4.2A= 90mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance极低的导通电阻高密度的单元设计 《深圳阔晶电子》地址：深圳市福田区华强...
优势供应 场效应管 贴片MOS管 GSC9435
信息内容：品牌/商标 GTM 型号/规格 GSC9435 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 30（V） 漏极电流 -5300（mA） 耗散功率 2500（mW） GSC9435 SOP-8 3000PCS/盘 -30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET -30V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-5.3A= 60mΩRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-4.2A= 90mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance极低的导通电阻高密度的单元设计 《深圳阔晶电子》地址：深圳市福田区华强北路中...
