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优势供应 场效应管 贴片MOS管 APM9435

价 格: 面议
品牌:ANPEC茂达
型号:APM9435

品牌/商标 ANPEC茂达 型号/规格 APM9435
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道
导电方式 增强型 用途 S/开关
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道
开启电压 2(V) 夹断电压 30(V)
漏极电流 -5300(mA) 耗散功率 2500(mW)

APM9435 SOP-8 3000PCS/盘
 
-30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET  -30V P 沟道增强型 MOS 管
 
VDS= -30V
RDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-5.3A= 60mΩ
RDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-4.2A= 90mΩ
 
Features   特性
Advanced trench process technology   的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
极低的导通电阻高密度的单元设计

 

 

《深圳阔晶电子》

地址:深圳市福田区华强北路中航路新亚洲二期N1B250柜

电子元器件供应商,常备现货,量大单价从优,期待您的合作。

详情请联系:颜婵贞 13632530586   QQ:731785022

TEL:755-83234439  MSN:szcool2009@hotmail.com

E-mail:yanchanzhen@126.com

深圳市福田区新亚洲电子市场二期阔晶电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 颜婵銮
  • 电话:755-83234439
  • 传真:755-83234439
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信息内容:

品牌/商标 GTM 型号/规格 GSC9435 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 2(V) 夹断电压 30(V) 漏极电流 -5300(mA) 耗散功率 2500(mW) GSC9435 SOP-8 3000PCS/盘 -30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET -30V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-5.3A= 60mΩRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-4.2A= 90mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance极低的导通电阻高密度的单元设计 《深圳阔晶电子》地址:深圳市福田区华强北路中...

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优势供应 场效应管 贴片MOS管 MT9435

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品牌/商标 MT茂钿 型号/规格 MT9435 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 2(V) 夹断电压 30(V) 漏极电流 -5300(mA) 耗散功率 2500(mW) MT9435 SOP-8 3000PCS/盘 -30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET -30V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-5.3A= 60mΩRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-4.2A= 90mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance极低的导通电阻高密度的单元设计 《深圳阔晶电子》地址:深圳市福田区华强北路中...

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