品牌/商标 | ANPEC茂达 | 型号/规格 | APM9435 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
开启电压 | 2(V) | 夹断电压 | 30(V) |
漏极电流 | -5300(mA) | 耗散功率 | 2500(mW) |
APM9435 SOP-8 3000PCS/盘
-30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET -30V P 沟道增强型 MOS 管
VDS= -30V
RDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-5.3A= 60mΩ
RDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-4.2A= 90mΩ
Features 特性
Advanced trench process technology 的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
极低的导通电阻高密度的单元设计
《深圳阔晶电子》
地址:深圳市福田区华强北路中航路新亚洲二期N1B250柜
电子元器件供应商,常备现货,量大单价从优,期待您的合作。
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TEL:755-83234439 MSN:szcool2009@hotmail.com
E-mail:yanchanzhen@126.com
品牌/商标 GTM 型号/规格 GSC9435 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 2(V) 夹断电压 30(V) 漏极电流 -5300(mA) 耗散功率 2500(mW) GSC9435 SOP-8 3000PCS/盘 -30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET -30V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-5.3A= 60mΩRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-4.2A= 90mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance极低的导通电阻高密度的单元设计 《深圳阔晶电子》地址:深圳市福田区华强北路中...
品牌/商标 MT茂钿 型号/规格 MT9435 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 2(V) 夹断电压 30(V) 漏极电流 -5300(mA) 耗散功率 2500(mW) MT9435 SOP-8 3000PCS/盘 -30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET -30V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-5.3A= 60mΩRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-4.2A= 90mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance极低的导通电阻高密度的单元设计 《深圳阔晶电子》地址:深圳市福田区华强北路中...