优势供应 场效应管 贴片MOS管 9926A
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | 台产正品 | |
| 型号： | 9926A |
| 品牌/商标 | 台产 | 型号/规格 | 9926A |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0.8（V） | 夹断电压 | 20（V） |
| 漏极电流 | 6000（mA） | 耗散功率 | 2000（mW） |
9926 SOP-8 3000PCS/盘
20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N沟道增强型 MOS 管
VDS= 20V
RDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@5.2A= 40mΩ
RDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@6A= 30mΩ
Features 特性
Advanced trench process technology 的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计
High Power and Current handing capability 大功率高电流
Ideal for Li ion battery pack applications 锂电池的理想选择
深圳市阔晶电子有限公司，MOS管，IC，二三极管供应商，常备现货，量大单价从优，期待您的合作。
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- 传真：755-83234439
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优势供应 场效应管 贴片MOS管 2312
信息内容：品牌/商标 台产 型号/规格 2312 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.85（V） 夹断电压 20（V） 漏极电流 3700（mA） 耗散功率 750（mW） 2312 SOT-23 3000PCS/盘 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N沟道增强型 MOS 管 VDS= 20VRDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@4.9A= 25mΩRDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@4.4A= 31mΩRDS(ON),Vgs@1.8V,Ids@3.9A= 40mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计 深圳市阔晶电...
优势供应MOS管 FDS4435 场效应管
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FDS4435 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 -1.4（V） 夹断电压 30（V） 漏极电流 10500（mA） 耗散功率 2500（mW） MOS管供应商，期待与您的合作。。 FDS4435 SOP-8 3000PCS/盘 -30V P- hannel Enhancement-Mode MOSFET -30V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-10.5A= 18mΩRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-6.0A= 30mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计 深...
