优势供应 场效应管 贴片MOS管 MT9926
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | MT茂钿 | |
| 型号： | MT9926 |
| 品牌/商标 | MT茂钿 | 型号/规格 | MT9926 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0.8（V） | 夹断电压 | 20（V） |
| 漏极电流 | 6000（mA） | 耗散功率 | 2000（mW） |
MT9926 SOP-8 3000PCS/盘
20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N沟道增强型 MOS 管
VDS= 20V
RDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@5.2A= 40mΩ
RDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@6A= 30mΩ
Features 特性
Advanced trench process technology 的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计
High Power and Current handing capability 大功率高电流
Ideal for Li ion battery pack applications 锂电池的理想选择
深圳市阔晶电子有限公司，MOS管，IC，二三极管供应商，常备现货，量大单价从优，期待您的合作。
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- 联系人： 颜婵銮
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- 传真：755-83234439
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优势供应 场效应管 贴片MOS管 AO9926
信息内容：品牌/商标 ALP美国Alpha 型号/规格 AO9926 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.8（V） 夹断电压 20（V） 漏极电流 4200（mA） 耗散功率 1400（mW） AO9926 SOP-8 3000PCS/盘 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N沟道增强型 MOS 管 VDS= 20VRDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@5.2A= 40mΩRDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@6A= 30mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计High Power and Current handing capability ...
优势供应 场效应管 贴片MOS管 9926A
信息内容：品牌/商标 台产 型号/规格 9926A 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.8（V） 夹断电压 20（V） 漏极电流 6000（mA） 耗散功率 2000（mW） 9926 SOP-8 3000PCS/盘 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N沟道增强型 MOS 管 VDS= 20VRDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@5.2A= 40mΩRDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@6A= 30mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计High Power and Current handing capability 大功率高电流...
