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优势供应 场效应管 贴片MOS管 GT9926

价 格: 面议
品牌:YGMOS
型号:GT9926

品牌/商标 YGMOS 型号/规格 GT9926
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 S/开关
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 0.8(V) 夹断电压 20(V)
漏极电流 6000(mA) 耗散功率 2000(mW)

深圳市福田区新亚洲电子市场二期阔晶电子商行
公司信息未核实
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信息内容:

品牌/商标 MT茂钿 型号/规格 MT9926 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.8(V) 夹断电压 20(V) 漏极电流 6000(mA) 耗散功率 2000(mW) MT9926 SOP-8 3000PCS/盘 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N沟道增强型 MOS 管 VDS= 20VRDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@5.2A= 40mΩRDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@6A= 30mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计High Power and Current handing capability 大功率...

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优势供应 场效应管 贴片MOS管 AO9926

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品牌/商标 ALP美国Alpha 型号/规格 AO9926 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.8(V) 夹断电压 20(V) 漏极电流 4200(mA) 耗散功率 1400(mW) AO9926 SOP-8 3000PCS/盘 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N沟道增强型 MOS 管 VDS= 20VRDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@5.2A= 40mΩRDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@6A= 30mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计High Power and Current handing capability ...

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