肖特基二极管 SEB520S-30 光宇睿芯
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 型号/规格： | SOD-523 VBR=30V | |
| 封装形式： | 贴片型 | |
| 功率特性： | 小功率 | |
| 频率特性： | 低频 |
| 产品类型 | 肖特基管 | 品牌/商标 | 国产 |
| 型号/规格 | SOD-523 VBR=30V | 结构 | 肖特基 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 塑料封装 | 功率特性 | 小功率 |
| 频率特性 | 低频 | 发光颜色 | 电压控制 |
| LED封装 | 无色透明(T) | 出光面特征 | 微型管 |
| 发光强度角分布 | 标准型 | 反向电压VR | 1（V） |
| 正向直流电流IF | 1（mA） |
- 所属城市：上海 上海市
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SEB551V-30 肖特基二极管
信息内容：产品类型 肖特基管 品牌/商标 国产 型号/规格 SOD-523 VBR=30V 结构 肖特基 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 小功率 频率特性 低频 发光颜色 电压控制 LED封装 无色透明(T) 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 1（V） 正向直流电流IF 1（mA）
场效应管SE8209 双N沟道 TSSOP8封装 SINO-IC
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE8209 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 12（V） 夹断电压 20（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 6000（mA） 耗散功率 1（mW） SHANGHAI Feb 2008MICROELECTRONICSCO., LTD. SE8209 Revision:ADual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FeaturesFor a single mosfet●VDSS= 20 V●R...
