场效应管SE8209 双N沟道 TSSOP8封装 SINO-IC
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌： | SINO-IC | |
| 型号： | SE8209 |
| 品牌/商标 | SINO-IC | 型号/规格 | SE8209 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CC/恒流 |
| 封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 12（V） | 夹断电压 | 20（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 6000（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
SHANGHAI Feb 2008 MICROELECTRONICSCO., LTD.
SE8209
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FeaturesFor a single mosfet ●VDSS= 20 V ●RDS(ON)= 26mW? @ VGS=4.0V @Ids=5A RDS(ON)= 40mW? @ VGS=2.5V @Ids=3A |
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Applications
●Battery protection ●Load switch ●Power management | ||||||
Construction
●Silicon epitaxial planer | ||||||
Absolute Maximum Ratings | ||||||
Parameter | Symbol | Rating | Units | |||
Drain-Source Voltage | VDS | 20 | V | |||
Gate-Source Voltage | VGS | ±12 | V | |||
Drain Current (Note 1) | Continuous Pulsed | ID | 6 | A | ||
IDM | 24 | |||||
Drain-Source Diode Forward Current | IS | 1.7 | A | |||
Maximum Power Dissipation | PD | 1.5 | W | |||
Operating Junction Temperature Range | TJ | -55 to 150 | °C | |||
StorageTemperature Range | TSTG | |||||
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主要类目:1、TVS/ESD保护器件2、场效应管 3、稳压管、4、肖特基二极管 5、AC-DC IC 6、霍尔IC 7、LED开路保护器件 8、二三极管
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1SS400 光宇睿芯
信息内容：产品类型 功率二极管 品牌/商标 国产 型号/规格 SE1SS400 结构 平面型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 玻璃封装 功率特性 小功率 频率特性 低频 发光颜色 电压控制 LED封装 无色透明(T) 出光面特征 侧向管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 1（V） 正向直流电流IF 1（mA） 更多型号欢迎访问www.sino-ic.cn,应用方案可参考www.sino-ic.com.或来电咨询:021-33932402-8040主要类目:1、TVS/ESD保护器件2、场效应管 3、稳压管、4、肖特基二极管 5、AC-DC IC 6、霍尔IC 7、LED开路保护器件 8、...
开关二极管 1SS400
信息内容：产品类型 开关管 品牌/商标 国产 型号/规格 SE1SS400 结构 平面型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 小功率 频率特性 低频 发光颜色 电压控制 LED封装 无色透明(T) 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 1（V） 正向直流电流IF 1（mA） 更多型号欢迎访问www.sino-ic.cn,应用方案可参考www.sino-ic.com.或来电咨询:021-33932402-8040主要类目:1、TVS/ESD保护器件2、场效应管 3、稳压管、4、肖特基二极管 5、AC-DC IC 6、霍尔IC 7、LED开路保护器件 8、二三...
