硅PIN光电二极管
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | Vishay | 型号/规格 | VEMD VEMD2000 VEMD2000X01VEMD2020 VEMD2020X01 |
| 种类 | 光学接收器件 | 波段范围 | TEMD5010TEMD5020TEMD5110TEMD5120 |
| 运转方式 | 连续式 | 激励方式 | 光泵式 |
| 工作物质 | 固体 | 光路径 | 反射型外光路 |
| 输出形式 | 光敏器件型 | 传输信号 | OC门型 |
| 速度 | 高速 | 通道 | 双通道 |
| 输出波长 | 光电三级管光电二极管（nm） | 线宽 | PIN光电二极管 PIN光电三极管PIN光电（mm） |
VishayIntertechnology, Inc.宣布推出了通过AEC-Q101认证的VSMB20x0X01PIN光电二极管和VEMT20x0X01光电三极管，扩充了其光电产品目录。这些光探测器的工作温度为-40℃～+100℃，采用1.88mm的翼型和倒翼型表面贴装封装。
此次发布的器件对旋转编码器、位置传感器、适用于高亮度或日光抑制的红外探测器、车用雨量传感器，以及车库开门器和电动转门上的光幕和挡光板等应用进行了优化。
光电二极管的光电流为12uA，光谱敏感度范围750nm～1050nm，光电三级管的光电流为6mA，光谱敏感度范围790nm～970nm。VEMD20x0X01和VEMT20x0X01具有1nA的暗电流、±15°的半感光角，与之匹配的有最近发布的高亮度、高速红外发射二极管VSMB20x0X01。
大多数光检测器在打开封装或从保护包装中取出后，必须在72小时内安装到电路板上，而VEMD20x0X01和VEMT20x0X01的潮湿敏感度等级(MSL)达到J-STD-020规定的2a，因此可在车间环境中保存长达4周的时间。这些无铅和无卤素的光探测器支持无铅制造工艺，符合RoHS 2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC法规的要求，兼容无铅回流焊安装工艺。
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代码：VSH）宣布推出四款高性能 PIN 光电二极管，这些器件采用面积为 4.24 毫米×5.0 毫米、高度为 1.12 毫米的微型表面贴装封装，并且具有一流的灵敏度。
成功的 Vishay Semiconductors TEMD5xxx PIN 光电二极管系列中添加的这些器件将高速响应和出色的灵敏度完美结合在一起，这些特性是通过可选的日光过滤和 7.5 mm2和 5.7 mm2的对辐射敏感的两个较大面积选择实现的。这些新型器件是工业、汽车及医疗市场中大量应用的理想选择，它们将用于高速数据传输、光障、告警系统、线性光测量、血糖仪、汽车雨／光／隧道传感器、烟雾探测器及电子收费系统。
TheTEMD5010与TEMD5020具有 400nm～1100nm 的可见光灵敏度。凭借整合的日光滤光镜和 850nm 的灵敏度，TEMD5110和TEMD5120TEMD5120 更适用于检测红外线。日前推出的所有这四款器件均具有宽泛的 ±65° 半灵敏度角以及 100ns 的典型响应时间。
采用 SMT 封装的新型 PIN 光电二极管：一览表
| 型号 | 选项 | 半灵敏度角 (φ) | 灵敏度(nm)
| |
| IR 滤波器 | 感应面积 (mm) | |||
| TEMD5010 | 无 | 7.5 | ± 65° | 400 到 1100 |
| TEMD5020 | 无 | 5.7 | 400 到 1100 | |
| TEMD5110 | 有 | 7.5 | 870 到 950 | |
| TEMD5120 | 有 | 5.7 | 870 到 950 | |
这些器件均采用符合 ELV 2000/53/EC、RoHS 2002/95/EC 及 WEEE 2002/96/EC 规范的无铅结构封装，其中每一个塑料封装均与产品数据表中规定的再流焊装置兼容。
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NXP TVS ESD保护二极管
信息内容：品牌/商标NXP型号/规格PESD12VS2UATPESD15VS2UAT PESD24VS2UATPESD3V3S2UATPESD5V0S2UATPESD12PES种类浪涌保护用途通信体积小型电压特性低压形状裹敷式熔断速度FF/特快速执行标准美标自动复位功能有电压PESD15V PESD24 PESD15 PESD3PESD5（V） 电流PESD3V PESD5V PESD8VPESD12V PESD15V PESD24V PESD36V（A） 保持电流PESD5VSLVU2.8-4SLVU2.8SLVU（A） 动作温度UMD03UMD05UMD12UMD08 UMD36 UMD05BUMD03B UMD12B（℃） 温控范围UMD03BUMD05BUMD03UMD05（℃） NXP静电保护二极管TVS 电压3V到36V 封装SOD123 SOD323 SOT23 PESD主要用于HDMI 1.3和1.4、USB 2.0和3.0、IEEE 1394、DVI等设备高速接口（见图2、图3），这些接口可用于LCD等离子电视、便携式电话、便携式视频设备、打印机、卫星接收设备等领域。此外，PESD元件还可用于移动电子设备（如，PDA、上网本、手机、MID等）的天线、键盘、GPS系统等静电防护。PESD是在聚合物中嵌入导体、半导体及绝缘粒子构成的高分子压敏材料。其电阻随两端电压呈非线性变化。也就是说，当施加在其两端的电压小于某个特定电压值时，PESD呈现为绝缘体，电阻很大，不影响电路的正常工作；当施加在两端的电压大于某个特定电压值时，PESD转...
KYOSEMI红外发射
信息内容：品牌/商标KYOSEMI型号/规格KED385RHDQKED385HQ-NKED109Z-NKED109KED385KED530HDBKED541HKED694种类光学发射器件波段范围远红外运转方式单次脉冲式激励方式电激励式工作物质半导体光路径透过型外光路输出形式光敏器件型传输信号图腾柱型速度高速通道单通道输出波长KED694M31DKED694KED541KED530 红外发射 IR发射管 红外LED（nm） 线宽KED050CXHKED080DXHKED080DXKKED080RAXHKED160RAXH（mm） 測量，控制和顯示用LED和探測器>>Point Source LEDs BACK元件型號元件描述PDF(英文)PDF(中文)KED050CXH點光源芯片材質：GaALAs。波長：850。輸出功率：2.4（mW）50（mA）。半值角度：114。發射面積：50um dia，fC=25MHzdzsc/18/7360/18736074.jpg---KED050CXK點光源芯片材質：GaALAs。波長：850。輸出功率：5.0（mW）50（mA）。發射面積：50um dia，fC=25MHzdzsc/18/7360/18736074.jpg---KED080DXH點光源芯片材質：GaALAs。波長：870。輸出功率：1.2（mW）20（mA）。發射面積：80um diadzsc/18/7360/18736074.jpg---KED080DXK點光源芯片材質：GaALAs。波長：870。輸出功率：3.2（mW）20（mA）。發射面積：80um diadzsc/18/7360/18736074.jpg---KED080RAXH點光源芯片材質：...
