NXP TVS ESD保护二极管
| 价 格： | 0.39 |
| 品牌/商标 | NXP | 型号/规格 | PESD12VS2UATPESD15VS2UAT PESD24VS2UATPESD3V3S2UATPESD5V0S2UATPESD12PES |
| 种类 | 浪涌保护 | 用途 | 通信 |
| 体积 | 小型 | 电压特性 | 低压 |
| 形状 | 裹敷式 | 熔断速度 | FF/特快速 |
| 执行标准 | 美标 | 自动复位功能 | 有 |
| 电压 | PESD15V PESD24 PESD15 PESD3PESD5（V） | 电流 | PESD3V PESD5V PESD8VPESD12V PESD15V PESD24V PESD36V（A） |
| 保持电流 | PESD5VSLVU2.8-4SLVU2.8SLVU（A） | 动作温度 | UMD03UMD05UMD12UMD08 UMD36 UMD05BUMD03B UMD12B（℃） |
| 温控范围 | UMD03BUMD05BUMD03UMD05（℃） |
NXP静电保护二极管TVS 电压3V到36V 封装SOD123 SOD323 SOT23 PESD主要用于HDMI 1.3和1.4、USB 2.0和3.0、IEEE 1394、DVI等设备高速接口（见图2、图3），这些接口可用于LCD等离子电视、便携式电话、便携式视频设备、打印机、卫星接收设备等领域。此外，PESD元件还可用于移动电子设备（如，PDA、上网本、手机、MID等）的天线、键盘、GPS系统等静电防护。
PESD是在聚合物中嵌入导体、半导体及绝缘粒子构成的高分子压敏材料。其电阻随两端电压呈非线性变化。也就是说，当施加在其两端的电压小于某个特定电压值时，PESD呈现为绝缘体，电阻很大，不影响电路的正常工作；当施加在两端的电压大于某个特定电压值时，PESD转变为导体，电阻很小，可以短时间大电流放电，因此可与被保护IC并联使用。同时这种PESD静电防护元件具有自恢复性，即过电压放电之后又恢复到常态，不必更换，也不必一定将它安置在电子产品中手可触及的部位，可有效阻止电子产品的静电破坏并降低维护成本。
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KYOSEMI红外发射
信息内容：品牌/商标KYOSEMI型号/规格KED385RHDQKED385HQ-NKED109Z-NKED109KED385KED530HDBKED541HKED694种类光学发射器件波段范围远红外运转方式单次脉冲式激励方式电激励式工作物质半导体光路径透过型外光路输出形式光敏器件型传输信号图腾柱型速度高速通道单通道输出波长KED694M31DKED694KED541KED530 红外发射 IR发射管 红外LED（nm） 线宽KED050CXHKED080DXHKED080DXKKED080RAXHKED160RAXH（mm） 測量，控制和顯示用LED和探測器>>Point Source LEDs BACK元件型號元件描述PDF(英文)PDF(中文)KED050CXH點光源芯片材質：GaALAs。波長：850。輸出功率：2.4（mW）50（mA）。半值角度：114。發射面積：50um dia，fC=25MHzdzsc/18/7360/18736074.jpg---KED050CXK點光源芯片材質：GaALAs。波長：850。輸出功率：5.0（mW）50（mA）。發射面積：50um dia，fC=25MHzdzsc/18/7360/18736074.jpg---KED080DXH點光源芯片材質：GaALAs。波長：870。輸出功率：1.2（mW）20（mA）。發射面積：80um diadzsc/18/7360/18736074.jpg---KED080DXK點光源芯片材質：GaALAs。波長：870。輸出功率：3.2（mW）20（mA）。發射面積：80um diadzsc/18/7360/18736074.jpg---KED080RAXH點光源芯片材質：...
NIS5112电子保险丝
信息内容：品牌/商标ON型号/规格NIS5112NIS5112D1R2GNIS5112D2R2GNIS5112D种类浪涌保护用途通信体积小型电压特性安全电压形状贴片式熔断速度FF/特快速执行标准美标自动复位功能有电压NIS5112D2R2GNIS5112（V） 保险丝是一种过流保护元件，常用的有低熔点合金丝组成的熔断保险丝及正温度系数聚合物材料制成的在过流时变成高阻抗的可复性保护过流元件。本文介绍的是安森美半导体公司开发的电子保险丝NIS5112，它是一种集成电路，不仅在过流时能保护电路的元器件免受损坏，并且具有输入电压若过压时箝位输出；输出电压软启动(按可设定的斜坡上升)，监测自身管芯温度，管芯温度超过135℃时，并若闭器件(断开电源)；有使能／定时器控制端，可实现电源管理等功能。NIS5112由带电流检测极的N沟道功率MOSFET作开关，与漏极电流限制电路及外接限流电阻Rlim配合，实现在负载RL有过载情况或短路故障发生时，N沟道功率MOSFET并不关断，而是输出一个限制的电流。这时N沟道MOSFET的管压降会增加，使它损耗增大而管芯温度提高。当管芯的温度超过工厂设定的135℃时，器件会因过热而关闭，N沟道MOSFET关断，切断电流，这部分是该器件的主要部分。NIS5112的其他组成部分有：为驱动高端N沟道功率MOSFET...
