品牌/商标 | POWER | 型号/规格 | TOP221YN |
封装 | TO220 | 批号 | 10+ |
类型 | 稳压IC |
TOP221 - 227 |
TO-220-3 |
50 |
集成电路 (IC) |
PMIC - AC-DC 转换器,离线开关 |
TOPSwitch®-II |
隔离 |
90 ~ 110kHz |
- |
700V |
12W |
-40°C ~ 150°C |
TO-220-3 |
管件 |
TO-220-3 |
产品类型 整流管 品牌/商标 IR美国国际整流器 型号/规格 HFA08TB60PBF 结构 肖特基 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 树脂封装 功率特性 中功率 频率特性 中频 发光颜色 标准绿 LED封装 无色散射(W) 出光面特征 方灯 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 600(V) 正向直流电流IF 1.7V @ 8A(mA) 数据列表HFA08TB60PBF产品相片TO-220-2TO-220-2产品目录绘图CircuitTO-220AC Front标准包装50类别分离式半导体产品家庭单二极管/整流器系列HEXFRED®电压 - 在 If 时为正向 (Vf)()1.7V @ 8A电压...
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFBG30PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 VA/场输出级 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 1000(V) 夹断电压 500(V) 极间电容 980(pF) 漏极电流 3.1(mA) 耗散功率 125(mW) IRFBG30PBFMOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB-Vishay/SiliconixMOSFET N 通道,金属氧化物标准型5 欧姆 @ 1.9A, 10V1000V (1kV)3.1A4V @ 250µA80nC @ 10V980pF @ 25V125W通孔TO-220-3管数据列表IRFBG30产品相片TO-220AB PKG产品目录绘图IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2标...