原装现货 长期供应IR全系列场效应管 HFA08TB60PBF HFA08TB60
| 价 格： | 5.00 | |
| 品牌： | IR美国国际整流器 | |
| 型号： | HFA08TB60PBF |
| 产品类型 | 整流管 | 品牌/商标 | IR美国国际整流器 |
| 型号/规格 | HFA08TB60PBF | 结构 | 肖特基 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 树脂封装 | 功率特性 | 中功率 |
| 频率特性 | 中频 | 发光颜色 | 标准绿 |
| LED封装 | 无色散射(W) | 出光面特征 | 方灯 |
| 发光强度角分布 | 标准型 | 反向电压VR | 600（V） |
| 正向直流电流IF | 1.7V @ 8A（mA） |
| HFA08TB60PBF |
| TO-220-2 TO-220-2 |
| Circuit TO-220AC Front |
| 50 |
| 分离式半导体产品 |
| 单二极管/整流器 |
| HEXFRED® |
| 1.7V @ 8A |
| 600V |
| 8A |
| 5µA @ 600V |
| 标准 |
| 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA (Io) |
| 55ns |
| - |
| 通孔 |
| TO-220-2 熔断式，TO-220AC |
| 管件 |
| TO-220AC |
| *HFA08TB60PBF VS-HFA08TB60PBF VS-HFA08TB60PBF-ND VSHFA08TB60PBF VSHFA08TB60PBF-ND |
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分销IR全系列场效应管增强型MOS管N沟道 IRFBG30 IRFBG30PBF
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFBG30PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 VA/场输出级 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 1000（V） 夹断电压 500（V） 极间电容 980（pF） 漏极电流 3.1（mA） 耗散功率 125（mW） IRFBG30PBFMOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB-Vishay/SiliconixMOSFET N 通道，金属氧化物标准型5 欧姆 @ 1.9A, 10V1000V (1kV)3.1A4V @ 250µA80nC @ 10V980pF @ 25V125W通孔TO-220-3管数据列表IRFBG30产品相片TO-220AB PKG产品目录绘图IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2标...
IR分销商 长期现货供应 IRFZ34NPBF IRFZ34N
信息内容：dzsc/18/8734/18873412.jpgdzsc/18/8734/18873412.jpg数据列表IRFZ34NPbF产品相片TO-220AB PKG产品目录绘图IR Hexfet TO-220AB标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 16A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C29AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs34nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)700pF @ 25V功率 - 68W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3包装管件供应商设备封装TO-220AB产品目录页面1472 (CN2010-11 Interactive)1472 (CN2010-11 PDF)其它名称*IRFZ34NPBF科顺龙电子商行主要经销的产品有：场效应管，电源控制IC，IGBT，MCU单片机，LCD驱动IC等等。优势品牌热卖：IR（国际整流器），VISHAY（威世），ST（意法半导体），ON（安森美半导体）。 ATMEL FREESCALE MICROCHIP(微芯代理全系列货源) 热卖场效应管系列：IRF540N,IRF630N,IRF640N,IRF730,IRF740,IRF830,IRF840,IRF9530N,IRF9540N,IRF9630,IRF9640,IRF9Z24N,IRF9Z34N,IRFZ24N,IRFZ34N,IRFZ44N,IRFZ48N,IRFP150N,IRFP250N,IRFP26...
