雪崩光电二极管 APD光电管
| 价 格： | 118.00 |
| 品牌/商标 | SAELP | 型号/规格 | SAE230NSSAE230 SAE500SAE500VSSAR3500 SAR500SAE50NSSAE50 |
| 种类 | 激光模块 | 波段范围 | 近红外 |
| 运转方式 | 连续式 | 激励方式 | 电激励式 |
| 工作物质 | 固体 | 光路径 | 透过型外光路 |
| 输出形式 | 光敏器件型 | 传输信号 | 图腾柱型 |
| 速度 | 高速 | 通道 | 双通道 |
| 输出波长 | SAE230NSSAE230 SAE500SAE500VSSAR3500 SAR500SAE50NSSAE50（nm） | 线宽 | 雪崩光电二极管 光电二极管雪崩光电二极管APD 硅雪崩光电二极管APD 硅雪崩光电二极管 雪崩光电二极管 光电APD APD光电管（mm） |
雪崩光电二极管APD。现有IAE、SAE和SAR系列。这几个系列的产品有着极高的响应度和极短的上升和下降时间。如此高性能的APD可以很好地应用在荧光探测、激光雷达系统、光纤数据传输和条形码扫描器等方面。其出色的低噪音性能使其可以很好地应用在低光强度下对中或较高频率光的探测。
IAE系列 铟砷化镓雪崩光电二极管
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描述
IAE系列雪崩光电二极管是铟砷化镓雪崩光电二极管商业化的应用，在1000到1650nm的波长范围内，它有着极高的响应度和极短的上升和下降时间。在1550nm处的峰值响应度可以理想地应用到对人眼安全的测距，自由空间的光学通讯，光时域反射仪和高分辨率的光学相干X线断层摄影术上。芯片被封装在一个改良的TO46包装内或安置在一个陶瓷的底座上。
特性
● 80或200μm有效范围
● 大于500MHz的特有带宽
● 从1000到1650nm
● 低暗电流和噪声
● 改良的TO46包装或陶瓷底座
应用
● 测距
● 光学通信系统
硅雪崩光电二极管(近红外增强型)
描述
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SAE230NS系列和SAE50NS系列外延雪崩光电二极管是雪崩光电二极管中用途相当普遍的，在550到1050nm的范围内，它们有着极高的响应度和极短的上升和下降时间。用于测距时，在900nm的波长下可以得到的响应度。芯片被封装在一个改良过的TO46包装内，并带有集成的905nm滤波器可供选择。
特性
● 极高的量子效率
● 低噪音，高速
● 倍增增益，用于M>100时
● 230μm和500μm直径有效范围
● 渐进的倍增曲线图表
●极宽的工作温度范围
应用
● 测距
● 光学通信系统
硅雪崩光电二极管（红光增强型）
描述
SAE500VS系列外延雪崩光电二极管是雪崩光电二极管中用途相当普遍的, 在400到1000nm的范围内, 它有着极高的响应度和极短的上升和下降时间。在650nm处的峰值响应度可以理想地应用到使用可视激光二极管的测距上。芯片被封装在一个改良的TO46包装内。
特性
● 极高的量子效率
● 低噪音，高速
● 倍增增益，用于M>100时
● 500μm直径有效范围
● 渐进的倍增曲线图表
● 极宽的工作温度范围
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应用
● 测距
● 光学通信系统
SAE系列（红光增强型）实物图
SAR3500系列 硅雪崩光电二极管
描述
SAR3500是为了获得卓越的量子效率和极高的速度，而基于拉通型结构而设计的。芯片被封装在一个改良过的TO-8包装内。SAR3500也可以和热电致冷器一起封装在TO-37包装内。这使得这种雪崩光电二极管可以被应用在荧光探测器、激光雷达和医药领域。
特性
● 低噪音，高速 ● 倍增增益，用于M>1000时 ● 3500μm直径有效范围 ● 渐进的倍增曲线图表 ● 极宽的工作温度范围 应用 ● 医学领域 ● 荧光探测器 ● 激光雷达 ● 分析方面 SAR3500实物图 SAR/SARP系列 硅雪崩光电二极管 描述 SAR500系列是为了获得卓越的量子效率和极高的速度，而基于拉通型结构而设计的。其在近红外区域的峰值灵敏度使其和激光脉冲二极管可以一同应用在测距中。这种雪崩光电二极管被封装在一个改良过的TO-46包装内，并带有集成的905nm滤波器可供选择。 SARP500有着极低的噪声和暗电流，适用于对亮度极暗的光线的探测，是SAR500的一个优化版。SAR500可以和热电致冷器一起封装在一个的TO-37包装内。这使得这种雪崩光电二极管可以被应用在光谱、荧光探测器、激光雷达和医学等领域。 dzsc/18/7339/18733930.jpg 特性 ●非常高的量子效率 ● 低噪音，高速 ● 倍增增益，用于M>200时 ● 500μm直径有效范围 ● 渐进的倍增曲线图表 ● 极宽的工作温度范围 应用 ● 测距/激光雷达 ● 光学通信系统 ● 激光扫描仪 ● 光谱方面 ● 荧光探测 ● 医学领域 SAR/SARP系列实物图 雪崩光电二极管具体规格参数 Si-EPI-APDs
● 非常高的量子效率
规格(@ M=100, 敏感度)
- 所属城市：陕西 宝鸡
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 唐小军
- 电话：0769-12345678
- 传真：-
- 手机：
- QQ ：
KYOSEMI二极管
信息内容：品牌/商标kyosemi型号/规格KPD30SKPD101M31 KPD101KPD101M32KPD101M51KPD104M32KPD104M51 KPD151M5种类光学接收器件波段范围光敏二極管光电二极管 KPID020KPID050运转方式连续式激励方式电激励式光路径透过型外光路输出形式光敏器件型传输信号OC门型速度高速通道单通道输出波长KPD151M53KPD701C KPD701KPD701HKPD703HKPD703KPD701KPD1201CKPD120（nm） 线宽KPD1201KPD1203HKPD1203KKPD1801HKPD1803HKPD1803KPD0365CKPD0365光（mm） 光敏二極管>>通用光敏二極管 BACK元件型號元件描述PDF(英文)PDF(中文)KPD30S感應面積：2.59×2.59mm。中心感應波長：850nm，短路電流：68μA、1000lux。半值角度：120。應用：光學開關、光學儀器。dzsc/18/7339/18733943.jpg---KPD101M31感應面積：0.81×0.81mm。中心感應波長：850nm，短路電流：30μA、1000lux。半值角度：60。應用：光學開關、光學儀器。dzsc/18/7339/18733943.jpg---KPD101M32感應面積：0.81×0.81mm。中心感應波長：850nm，短路電流：16μA、1000lux。半值角度：90。應用：光學開關、光學儀器。dzsc/18/7339/18733943.jpg---KPD101M51感應面積：0.81×0.81mm。中心感應波長：850nm，...
硅PIN光电二极管
信息内容：品牌/商标Vishay型号/规格VEMD VEMD2000 VEMD2000X01VEMD2020 VEMD2020X01种类光学接收器件波段范围TEMD5010TEMD5020TEMD5110TEMD5120运转方式连续式激励方式光泵式工作物质固体光路径反射型外光路输出形式光敏器件型传输信号OC门型速度高速通道双通道输出波长光电三级管光电二极管（nm） 线宽PIN光电二极管 PIN光电三极管PIN光电（mm） VishayIntertechnology, Inc.宣布推出了通过AEC-Q101认证的VSMB20x0X01PIN光电二极管和VEMT20x0X01光电三极管，扩充了其光电产品目录。这些光探测器的工作温度为-40℃～+100℃，采用1.88mm的翼型和倒翼型表面贴装封装。 此次发布的器件对旋转编码器、位置传感器、适用于高亮度或日光抑制的红外探测器、车用雨量传感器，以及车库开门器和电动转门上的光幕和挡光板等应用进行了优化。 光电二极管的光电流为12uA，光谱敏感度范围750nm～1050nm，光电三级管的光电流为6mA，光谱敏感度范围790nm～970nm。VEMD20x0X01和VEMT20x0X01具有1nA的暗电流、±15°的半感光角，与之匹配的有最近发布的高亮度、高速红外发射二极管VSMB20x0X01。 大多数光检测器在打开封装或从保护包装中取出后，必须在72小时内安装到电路板上，而VEMD20x0X01...
