品牌/商标 | 进口 | 型号/规格 | 12N60 |
应用范围 | 功率 | 材料 | 硅(Si) |
极性 | NPN型 | 击穿电压VCBO | V(V) |
集电极允许电流ICM | A(A) | 集电极耗散功率PCM | W(W) |
截止频率fT | Z(MHz) | 结构 | 平面型 |
封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 金属封装 |
大量供应二三极管,场效应管,MOS管大量供应二三极管,场效应管,MOS管大量供应二三极管,场效应管,MOS管大量供应二三极管,场效应管,MOS管大量供应二三极管,场效应管,MOS管
品牌/商标 进口 型号/规格 2SD1049 应用范围 功率 极性 NPN型 击穿电压VCBO V(V) 集电极允许电流ICM A(A) 集电极耗散功率PCM W(W) 截止频率fT Z(MHz) 结构 平面型 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 专营;拆机电解电容,二三极管,场效应管,整流桥安规电容 电话13128464664专营;拆机电解电容,二三极管,场效应管,整流桥安规电容 电话13128464664
品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 30N60 30N60C3 30N60S5 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CHIP/小型片状 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 D(V) 夹断电压 A(V) 跨导 S(μS) 极间电容 Z(pF) 低频噪声系数 FG(dB) 漏极电流 D(mA) 耗散功率 Z(mW)