拆机30N60 30N60C3 30N60S5场效应管
| 价 格： | 0.25 | |
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号： | 30N60 30N60C3 30N60S5 |
| 品牌/商标 | INFINEON/英飞凌 | 型号/规格 | 30N60 30N60C3 30N60S5 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | D（V） | 夹断电压 | A（V） |
| 跨导 | S（μS） | 极间电容 | Z（pF） |
| 低频噪声系数 | FG（dB） | 漏极电流 | D（mA） |
| 耗散功率 | Z（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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- 联系人： 苏林
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大量供应二三极管，场效应管，MOS等10NJL2C48A
信息内容：品牌/商标 进口 型号/规格 10NJL2C48A 应用范围 功率 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO V（V） 集电极允许电流ICM A（A） 集电极耗散功率PCM W（W） 截止频率fT Z（MHz） 结构 平面型 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 大量供应二三极管，场效应管，MOS等大量供应二三极管，场效应管，MOS等大量供应二三极管，场效应管，MOS等大量供应二三极管，场效应管，MOS等
拆机4N60场效应管
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 4N60 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 SB肖特基势垒栅 开启电压 F（V） 夹断电压 G（V） 跨导 N（μS） 极间电容 X（pF） 低频噪声系数 BN（dB） 漏极电流 SW（mA） 耗散功率 H（mW） dzsc/18/7341/18734150.jpg供应拆机1到20N60供应拆机1N60供应拆机1N60供应拆机1N60供应拆机1N60
