品牌/商标 | INR美德国际整流器件 | 型号/规格 | IRF640NSPBF |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | IRF640NSPBF(V) |
夹断电压 | IRF640NSPBF(V) | 跨导 | IRF640NSPBF(μS) |
极间电容 | IRF640NSPBF(pF) | 低频噪声系数 | IRF640NSPBF(dB) |
漏极电流 | IRF640NSPBF(mA) | 耗散功率 | IRF640NSPBF(mW) |
品牌/商标 NXP 型号/规格 BSH203 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 BSH203(V) 夹断电压 BSH203(V) 跨导 BSH203(μS) 极间电容 BSH203(pF) 低频噪声系数 BSH203(dB) 漏极电流 BSH203(mA) 耗散功率 BSH203(mW) BSH090BSH101BSH102BSH103BSH105BSH106BSH107BSH107BSH111BSH121BSH201BSH202BSH203BSH205BSH206BSH207BSH299场效应管MOS 以上型号是是我司优势产品,长期供应,欢迎寻购!深圳市融跃电子有限公司电话:0755-82811783/88396294手机:13480197522...
品牌/商标 SAMSUNG(三星) 型号/规格 0805 105K 1uf 25V CL21A105KAFNNNE 介质材料 陶瓷(瓷介) 应用范围 广泛 外形 方块状 功率特性 中功率 频率特性 中频 调节方式 固定 引线类型 无引线 允许偏差 ±10(%) 耐压值 25(V) 等效串联电阻(ESR) 805 105K 1uf 25V CL21A105KAFNNNE(mΩ) 标称容量 1(uF) 损耗 805 105K 1uf 25V CL21A105KAFNNNE 额定电压 805 105K 1uf 25V CL21A105KAFNNNE(V) 绝缘电阻 805 105K 1uf 25V CL21A105KAFNNNE(mΩ) 温度系...