品牌/商标 | NXP | 型号/规格 | BSH203 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
材料 | P-FET硅P沟道 | 开启电压 | BSH203(V) |
夹断电压 | BSH203(V) | 跨导 | BSH203(μS) |
极间电容 | BSH203(pF) | 低频噪声系数 | BSH203(dB) |
漏极电流 | BSH203(mA) | 耗散功率 | BSH203(mW) |
BSH090
BSH101
BSH102
BSH103
BSH105
BSH106
BSH107
BSH107
BSH111
BSH121
BSH201
BSH202
BSH203
BSH205
BSH206
BSH207
BSH299
场效应管MOS
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品牌/商标 SAMSUNG(三星) 型号/规格 0805 105K 1uf 25V CL21A105KAFNNNE 介质材料 陶瓷(瓷介) 应用范围 广泛 外形 方块状 功率特性 中功率 频率特性 中频 调节方式 固定 引线类型 无引线 允许偏差 ±10(%) 耐压值 25(V) 等效串联电阻(ESR) 805 105K 1uf 25V CL21A105KAFNNNE(mΩ) 标称容量 1(uF) 损耗 805 105K 1uf 25V CL21A105KAFNNNE 额定电压 805 105K 1uf 25V CL21A105KAFNNNE(V) 绝缘电阻 805 105K 1uf 25V CL21A105KAFNNNE(mΩ) 温度系...
品牌/商标 SAMSUNG(三星) 型号/规格 0805 105K 1uf 6.3V CL21A105KQFNNNE 介质材料 陶瓷(瓷介) 应用范围 广泛 外形 方块状 功率特性 中功率 频率特性 中频 调节方式 固定 引线类型 无引线 允许偏差 ±10(%) 耐压值 6.3(V) 等效串联电阻(ESR) 0805 105K 1uf 6.3V CL21A105KQFNNNE(mΩ) 标称容量 1(uF) 损耗 0805 105K 1uf 6.3V CL21A105KQFNNNE 额定电压 6.3(V) 绝缘电阻 0805 105K 1uf 6.3V CL21A105KQFNNNE(mΩ) 温度系数 0805 105K ...