SPP11N60C3 STP11NM60
| 价 格： | 1.60 | |
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号： | SPP11N60 STP11NM60 |
| 品牌/商标 | INFINEON/英飞凌 | 型号/规格 | SPP11N60 STP11NM60 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 5（V） | 夹断电压 | 650（V） |
| 极间电容 | 222（pF） | 低频噪声系数 | 22（dB） |
| 漏极电流 | 11A（mA） | 耗散功率 | 125（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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14A 60V 35W场效应管J303
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 J303 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 4（V） 夹断电压 60（V） 低频跨导 2235（μS） 极间电容 35（pF） 低频噪声系数 4（dB） 漏极电流 14（mA） 耗散功率 35（mW）
3A 800V场效应管K903
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 K903 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 80（V） 夹断电压 800（V） 低频跨导 2665（μS） 极间电容 24（pF） 低频噪声系数 18（dB） 漏极电流 3（mA） K903：3A 800V
