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3A 800V场效应管K903

价 格: 面议
品牌:TOS日本东芝
型号:K903

品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 K903
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 DC/直流
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道
开启电压 80(V) 夹断电压 800(V)
低频跨导 2665(μS) 极间电容 24(pF)
低频噪声系数 18(dB) 漏极电流 3(mA)

                                                                           K903:3A 800V



苏春湖(个体经营)
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 汕头
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 苏春湖
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信息内容:

品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 K3434 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道

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53N06

信息内容:

品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 53N06 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 121(V) 夹断电压 212(V) 跨导 111(μS) 极间电容 221(pF) 低频噪声系数 121(dB) 漏极电流 111(mA) 耗散功率 111(mW)

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