8A 600V场效应管FQPF8N60C
| 价 格： | 1.40 | |
| 品牌： | 仙童 | |
| 型号： | FQPF8N60C |
| 品牌/商标 | 仙童 | 型号/规格 | FQPF8N60C |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 2（V） | 夹断电压 | 600（V） |
| 低频跨导 | 3（μS） | 极间电容 | 3000（pF） |
| 漏极电流 | 7A（mA） |
本商行同时供应以下600V场效应MOS管
1N60-20N60
2N80-17N80
2N90-7N90
IRFBC20-BC40
IRFBE20-IRFBE30
- 所属城市：广东 汕头
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SPP11N60C3 STP11NM60
信息内容：品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 SPP11N60 STP11NM60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 5（V） 夹断电压 650（V） 极间电容 222（pF） 低频噪声系数 22（dB） 漏极电流 11A（mA） 耗散功率 125（mW）
14A 60V 35W场效应管J303
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 J303 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 4（V） 夹断电压 60（V） 低频跨导 2235（μS） 极间电容 35（pF） 低频噪声系数 4（dB） 漏极电流 14（mA） 耗散功率 35（mW）
