8A 600V场效应MOS管FQP8N60C
| 价 格： | 1.20 | |
| 品牌： | 仙童 | |
| 型号： | FQP8N60C |
| 品牌/商标 | 仙童 | 型号/规格 | FQP8N60C |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 2（V） | 夹断电压 | 600（V） |
| 低频跨导 | 30（μS） | 极间电容 | 3000（pF） |
| 漏极电流 | 8A（mA） | 耗散功率 | 100（mW） |
本商行同时供应以下8A 600V场效应MOS管系列
9N60，9N65，9N79
6N60
7N60
FS7KM-12
- 所属城市：广东 汕头
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏春湖
- 电话：86 0754 84483628
- 传真：86 0754 84493628
- 手机：13322722404
- QQ ：
场效应管，MOS管IRFB4710 FB4710
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFB4710 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 3（V） 夹断电压 100（V） 低频跨导 333（μS） 极间电容 3333（pF） 低频噪声系数 333（dB） 漏极电流 75A（mA） 耗散功率 180W（mW）
8A 600V场效应管FQPF8N60C
信息内容：品牌/商标 仙童 型号/规格 FQPF8N60C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 3（μS） 极间电容 3000（pF） 漏极电流 7A（mA） 本商行同时供应以下600V场效应MOS管1N60-20N602N80-17N802N90-7N90IRFBC20-BC40IRFBE20-IRFBE30
