IR全系列MOSFET 场效应管 IRFBE30 IRFBE30PBF 长期现货
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌： | IR美国国际整流器公司 | |
| 型号： | IRFBE30 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFBE30 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 800（V） | 极间电容 | 1300（pF） |
| 漏极电流 | 4.1（mA） | 耗散功率 | 125（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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ST原装长期供应 STP80NF55-08 STP80NF55 (代替IRF3205PBF)
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP80NF55-08 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 25（V） 极间电容 3850（pF） 漏极电流 80（mA） 耗散功率 300（mW）
ST进口原装 长期供应STP80NF55-08 STP80NF55 (代替IRF3205PBF)
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP80NF55 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 25（V） 极间电容 3850（pF） 漏极电流 80（mA） 耗散功率 300（mW）
