品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | 2SK1365 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 1(V) | 夹断电压 | 1(V) |
低频跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
耗散功率 | 1(mW) |
品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 D1555 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO ETFWE(V) 集电极允许电流ICM 6(A) 集电极耗散功率PCM 60(W) 截止频率fT 20(MHz) 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 D1878 1500V 5A 60WD2255 160V 12A 70W 20MHZD2499 1500V 6A 50W 2MHZ