HV82 三极管
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | STC美国硅晶体管 | |
| 型号： | HV82 |
| 品牌/商标 | STC美国硅晶体管 | 型号/规格 | HV82 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | DIFF/差分放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 800（V） | 夹断电压 | 800（V） |
| 低频跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1111（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 5.5（mA） |
| 耗散功率 | 150（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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场效应管40N60A4D,40N60
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 40N60 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 HI-REL/高可靠性 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 75（mA） 耗散功率 625（mW） 40N60供应场效应管40N60A4D,40N60供应场效应管40N60A4D,40N60供应场效应管40N60A4D,40N60供应场效应管40N60A4D,40N60供应场效应管40N60A4D,40N60
拆机三极管TIP35C
信息内容：品牌/商标 ST 型号/规格 TIP35C 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 1（V） 集电极允许电流ICM 1（A） 集电极耗散功率PCM 1（W） 截止频率fT 1（MHz） 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 金属封装
